微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻胶的国产化公关正在各方面展开，在面板屏显光刻胶领域，中国已经出现了一批有竞争力的本土企业。
光刻胶按应用领域分类，可分为PCB光刻胶、显示面板光刻胶、半导体光刻胶及其他光刻胶。全i球市场上不同种类光刻胶的市场结构较为均衡。智研咨询的数据还显示，受益于半导体、显示面板、PCB产业东移的趋势，自2011年至今，光刻胶中国本土供应规模年华增长率达到11%，高于全i球平均5%的增速。2019年中国光刻胶市场本土企业销售规模约70亿元，全i球占比约10%，发展空间巨大。目前，中国本土光刻胶以PCB用光刻胶为主，平板显示、半导体用光刻胶供应量占比极低。
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掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。
掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。
物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。
内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。
光刻机跟照相机差不多，它的底片，是涂满光敏胶的硅片。电路图案经光刻机，缩微投射到底片，蚀刻掉一部分胶，露出硅面做化学处理。制造芯片，要重复几十遍这个过程。
位于光刻机中心的镜头，由20多块锅底大的镜片串联组成。镜片得高纯度透光材料+高质量抛光。SMEE光刻机使用的镜片，得数万美元一块。
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光刻是通过特定的生产步骤，将晶圆表面薄膜的特定部分去除的工艺，需要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测的等多道工序。光刻掩膜版类似于相机曝光后的底片，应用于对集成电路进行投影定位。光掩膜版的制作有专门的制版设备，一般都是用激光直写光刻设备做出来的。
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2003年，光刻掩膜版的90nm工艺的主流光刻技术是193nm准分子激光扫描分布投影光刻机（ArF Scanner），的光学光刻机巨头Nikon、ASML和CANON都推出了193nm ArF Scanner。
特征尺寸为45nm的光刻技术包括193nm ArF干法光刻技术、193nm ArF浸没式光刻技术二次成像与二次曝光技术、带有其他液体的193nm浸没式光刻技术、极短紫外光刻技术（EUV）以及无掩膜光刻技术。
在上述纳米尺寸光刻加工涉及到的工艺技术中，可以了解到除了无掩膜光刻技术和纳米压印光刻技术，都可以进行掩膜版光刻。我们不能否认的是，掩膜版成本较高至今还是纳米工艺达到量产的难点之一。
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